台湾桃园时间及美国爱德荷州Boise 2010年2月9日－南亚科技股份有限公司 (“南科”) 与美光科技公司(Micron Technology Inc.) (“美光”)，今日宣布其共同研发，采用铜制程全新42奈米DRAM制程技术的2Gb DDR3内存颗粒。DDR3 目前已成为运用于高效计算机领域包括服务器、笔记型计算机及桌上型计算机的主流DRAM。

微缩制程技术是降低生产成本的重要方式，并且可提供客户多项效益，包括低耗电、高效能、较大内存容量及更小芯片尺寸。本次推出的最新42奈米2Gb DDR3内存颗粒，仅需1.35伏特的电压即可(标准DDR3电压为1.5伏特)，亦低于之前的产品。今日服务器环境所耗用的电力及冷却成本与服务器的硬件成本相当，所以能够有效降低耗电量，对于今日服务器市场是关键重点。随着服务器对内存的需求增加，每条内存模块的耗电量将可能达到21瓦之多。在服务器应用上若仅需1.35伏特的电压，内存模块的耗电量将可减少达30%，有效降低电力及冷却系统的成本。

唯有提升内存运作速度，才能将系统效能表现达到最高极致。藉由微缩制程技术的研发，这颗42奈米2Gb DDR3芯片可提供高达每秒1866Mb的传输速率。另外， 42奈米2Gb DDR3颗粒的内存本身容量较高，将可使内存模块的容量进一步提高至16GB。

美光DRAM营销副总Robert Feurle指出，「随着42奈米的推出及3X奈米制程的技术研发正加速进行着，美光的铜制程专长使我们能够在DRAM制程的设计及研发上维持领先地位，能够为我们的客户提供绝佳的内存解决方案。」

南亚科技全球业务营销副总暨发言人白培霖表示，「我们相当高兴能够将此最具竞争力的2Gb DDR3内存产品提供给我们的客户，南亚科技规划将此最新技术的DRAM产品销售至服务器、PC市场及消费性商品市场。」

铜制程：达到高质量及高可靠度的最佳路径
此次推出的全新42奈米DRAM制程技术采用效能较佳的铜制程技术，使南亚科技与美光能够位居业界的领先群。据美光累积近十年的经验，铜制程能带给DRAM极佳的优势。铜制程的延展性及可靠性均优于铝制程，在更微缩的制程上，铜制程更具成本竞争力。南亚科技与美光共同研发的3X奈米制程技术，仍将延用铜制程技术，以提供二家公司的产品达到高质量及高可靠度。

产品时程
本产品预计于2010年第二季开始送样，并于今年下半年开始量产。